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BJT 晶体管阵列 / NSVT65010MW6T1G
- 价格 起订量
- ￥ 4.01545 1+
- ￥ 3.78816 10+
- ￥ 3.57374 100+
- ￥ 3.37145 500+
- ￥ 3.18061 1000+
- 型号： NSVT65010MW6T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - NSVT65010MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.01545
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2015
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：380mW
- 极性：PNP
- 功率 - 最大：380mW
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：650mV
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 最大击穿电压：65V
- 频率转换：100MHz
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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