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BJT 晶体管阵列 / ULN2002A
- 价格 起订量
- ¥ 3.59796 1+
- ¥ 3.39430 10+
- ¥ 3.20217 100+
- ¥ 3.02092 500+
- ¥ 2.84992 1000+
- 型号: ULN2002A
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: BJT 晶体管阵列
- 封装: 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- 描述: STMICROELECTRONICS ULN2002A Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
- 库存地点: 内地
- 库存: 78900
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 3.59796
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:15 Weeks
- 安装类型:通孔
- 底架:通孔
- 触点镀层:Gold
- 包装/外壳:16-DIP (0.300, 7.62mm)
- 引脚数:16
- 质量:1.627801g
- 晶体管元件材料:SILICON
- Number of Elements:7
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.1V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- 操作温度:-40°C~85°C TA
- 包装:Tube
- JESD-609代码:e4
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:16
- ECCN 代码:EAR99
- 附加功能:逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流:50V
- 端子位置:DUAL
- 额定电流:500mA
- 基本部件号:ULN2002
- 引脚数量:16
- 输出电压:50V
- 极性:NPN
- 配置:COMPLEX
- 通道数量:7
- 晶体管应用:SWITCHING
- 晶体管类型:7 NPN Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:500mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:1000 @ 350mA 2V
- 最大集极截止电流:50μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.6V @ 500μA, 350mA
- VCEsat-最大值:1.6 V
- 宽度:7.1mm
- 长度:20mm
- 高度:4.59mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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