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BJT 晶体管阵列 / CPH5520-TL-E
- 价格 起订量
- ¥ 6.58304 1+
- ¥ 6.21042 10+
- ¥ 5.85888 100+
- ¥ 5.52725 500+
- ¥ 5.21439 1000+
- 型号: CPH5520-TL-E
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: BJT 晶体管阵列
- 封装: SC-74A, SOT-753
- 描述: Bipolar Transistor, (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), Complementary Dual CPH5
- 库存地点: 内地
- 库存: 500
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 6.58304
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间:2 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SC-74A, SOT-753
- 表面安装:YES
- 引脚数:5
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Number of Elements:2
- hFEMin:200
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2012
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:5
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散:1.2W
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- Reach合规守则:not_compliant
- 引脚数量:5
- 极性:NPN, PNP
- 配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
- 功率 - 最大:1.2W
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 晶体管类型:NPN, PNP (Emitter Coupled)
- 集电极发射器电压(VCEO):260mV
- 最大集电极电流:2A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流:1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):260mV @ 50mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 50V
- 转换频率:420MHz
- 频率转换:420MHz
- 发射极基极电压 (VEBO):6V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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