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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / SG2003J
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： SG2003J
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 16-CDIP (0.300, 7.62mm)
- 描述： Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin CDIP
- 库存地点： 内地
- 库存： 600
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：16-CDIP (0.300, 7.62mm)
- 引脚数：16
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6V
- Number of Elements：7
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：16
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：cmos 兼容
- 端子位置：DUAL
- 输出电压：95V
- 极性：NPN
- 配置：COMPLEX
- 输出电流：100A
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 晶体管类型：7 NPN Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：1000 @ 350mA 2V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 500μA, 350mA
- 最大击穿电压：50V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：含铅
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