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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / CPH6501-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 6.23335 1+
- ￥ 5.88052 10+
- ￥ 5.54766 100+
- ￥ 5.23364 500+
- ￥ 4.93740 1000+
- 型号： CPH6501-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： TRANS NPN 30V 1.5A CPH6
- 库存地点： 内地
- 库存： 122556
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.23335
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 生命周期状态：LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- Number of Elements：2
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.5A
- Collector-Emitter Saturation Voltage：225mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：1.2W
- 频率：500MHz
- 引脚数量：6
- 极性：NPN
- 功率耗散：1.2W
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：225mV @ 15mA, 750mA
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 宽度：1.6mm
- 长度：2.9mm
- 高度：900μm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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