图片经供参考,以实物为准

BJT 晶体管阵列 / FFB2222A
- 价格 起订量
- ¥ 0.80013 1+
- ¥ 0.75484 10+
- ¥ 0.71211 100+
- ¥ 0.67181 500+
- ¥ 0.63378 1000+
- 型号: FFB2222A
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: BJT 晶体管阵列
- 封装: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述: Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 1970
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.80013
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数:6
- 质量:28mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- Number of Elements:2
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:40V
- hFEMin:100
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2000
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:6
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流:40V
- 最大功率耗散:300mW
- 终端形式:鸥翼
- 额定电流:500mA
- 频率:300MHz
- 基本部件号:FFB2222A
- 极性:NPN
- 元素配置:Dual
- 功率耗散:300mW
- 晶体管应用:SWITCHING
- 增益带宽积:300MHz
- 晶体管类型:2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO):40V
- 最大集电极电流:500mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 150mA 10V
- 最大集极截止电流:10nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1V @ 50mA, 500mA
- 转换频率:300MHz
- 最大击穿电压:40V
- 集电极基极电压(VCBO):75V
- 发射极基极电压 (VEBO):5V
- 高度:1mm
- 长度:2mm
- 宽度:1.25mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
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