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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / BC857S
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： BC857S
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 12066
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 触点镀层：Tin
- 引脚数：6
- 质量：28mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- hFEMin：125
- Number of Elements：2
- Collector-Emitter Saturation Voltage：650mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- 已出版：2017
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：-45V
- 最大功率耗散：300mW
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-200mA
- 频率：200MHz
- 基本部件号：BC857
- 极性：PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：300mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：250MHz
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：45V
- 最大集电极电流：200mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：125 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率：200MHz
- 最大击穿电压：45V
- 集电极基极电压(VCBO)：-50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 宽度：1.25mm
- 长度：2mm
- 高度：1mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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