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BJT 晶体管阵列 / DME205010R
- 价格 起订量
- ￥ 0.82576 1+
- ￥ 0.77902 10+
- ￥ 0.73493 100+
- ￥ 0.69333 500+
- ￥ 0.65408 1000+
- 型号： DME205010R
- 厂商： Panasonic Electronic Components
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6
- 描述： Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
- 库存地点： 内地
- 库存： 2789
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.82576
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- hFEMin：210
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：300mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：DME20501
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率 - 最大：300mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：150MHz
- 晶体管类型：NPN, PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：210 @ 2mA 10V
- 最大集极截止电流：100μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
- 转换频率：150MHz
- 最大击穿电压：50V
- 连续集电极电流：-100mA
- 高度：1.1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.5mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
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