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BJT 晶体管阵列 / HN2C01FU-GR(T5L,F)
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： HN2C01FU-GR(T5L,F)
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：100mV
- hFEMin：120
- 操作温度：125°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：200mW
- Reach合规守则：unknown
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 功率 - 最大：200mW
- 增益带宽积：80MHz
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：250mV
- 最大集电极电流：150mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA 6V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 10mA, 100mA
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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