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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / HN1B01FDW1T1G
- 价格 起订量
- ￥ 1.95220 1+
- ￥ 1.84170 10+
- ￥ 1.73745 100+
- ￥ 1.63910 500+
- ￥ 1.54633 1000+
- 型号： HN1B01FDW1T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SC-74, SOT-457
- 描述： Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A Automotive 6-Pin SC-74 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.95220
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-74, SOT-457
- 表面安装：YES
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-150mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：200
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：-60V
- 最大功率耗散：380mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：200mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：6
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：380mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 晶体管类型：NPN, PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：200mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA 6V
- 最大集极截止电流：2μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：7V
- 高度：1.1mm
- 长度：3.1mm
- 宽度：1.7mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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