简体中文
图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / ZXTD6717E6TA
- 价格 起订量
- ￥ 2.26395 1+
- ￥ 2.13580 10+
- ￥ 2.01491 100+
- ￥ 1.90086 500+
- ￥ 1.79326 1000+
- 型号： ZXTD6717E6TA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Comp Dual
- 库存地点： 内地
- 库存： 300000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.26395
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：14.996898mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.5A 1.25A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.7W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：1.5A
- 频率：180MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：ZXTD6717
- 引脚数量：6
- 资历状况：不合格
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：1.7W
- 功率 - 最大：1.1W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：220MHz
- 晶体管类型：NPN, PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：245mV
- 最大集电极电流：1.25A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：250 @ 500mA 2V / 200 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：10nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：15V 12V
- 转换频率：180MHz
- 最大击穿电压：12V
- 频率转换：180MHz 220MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：15V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 高度：1.3mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.75mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
ZXTD6717E6TA Diodes Incorporated
ZXT10P12DE6TA Diodes Incorporated- ZXTS1000E6TA Diodes Incorporated
QSX1TR ROHM Semiconductor- QST2TR ROHM Semiconductor
