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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / MCH6541-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 9.88016 1+
- ￥ 9.32091 10+
- ￥ 8.79331 100+
- ￥ 8.29557 500+
- ￥ 7.82601 1000+
- 型号： MCH6541-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 0.7A 550MW 6-PIN Mcph T/r
- 库存地点： 内地
- 库存： 42500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.88016
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 表面安装：YES
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-110mV
- Number of Elements：2
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：550mW
- 引脚数量：6
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率 - 最大：550mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：520MHz
- 晶体管类型：NPN, PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：190mV
- 最大集电极电流：700mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 50mA 2V / 200 @ 10mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA
- 转换频率：540MHz
- 最大击穿电压：30V
- 频率转换：540MHZ 520MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：-30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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