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BJT 晶体管阵列 / QSZ2TR
- 价格 起订量
- ￥ 4.72638 1+
- ￥ 4.45884 10+
- ￥ 4.20646 100+
- ￥ 3.96836 500+
- ￥ 3.74373 1000+
- 型号： QSZ2TR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- 描述： TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT
- 库存地点： 内地
- 库存： 24125
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.72638
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Number of Elements：2
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 最大功率耗散：1.25W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：QSZ
- 引脚数量：5
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率 - 最大：1.25W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：280MHz
- 晶体管类型：NPN, PNP (Emitter Coupled)
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：270 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
- 转换频率：300MHz
- 最大击穿电压：30V
- 频率转换：300MHz 280MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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