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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / MMDTA06-7
- 价格 起订量
- ￥ 4.21033 1+
- ￥ 3.97201 10+
- ￥ 3.74718 100+
- ￥ 3.53508 500+
- ￥ 3.33498 1000+
- 型号： MMDTA06-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6
- 描述： TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.21033
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.28W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MMDTA06
- 引脚数量：6
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 功率 - 最大：900mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：163MHz
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：80V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 10mA 1V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 10mA, 100mA
- 转换频率：163MHz
- 最大击穿电压：80V
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：4V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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