图片经供参考,以实物为准

BJT 晶体管阵列 / DMC501010R
- 价格 起订量
- ¥ 0.83804 1+
- ¥ 0.79060 10+
- ¥ 0.74585 100+
- ¥ 0.70363 500+
- ¥ 0.66380 1000+
- 型号: DMC501010R
- 厂商: Panasonic Electronic Components
- 类别: BJT 晶体管阵列
- 封装: 5-SMD, Flat Leads
- 描述: Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
- 库存地点: 内地
- 库存: 15000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.83804
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:5-SMD, Flat Leads
- 引脚数:5
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:300mV
- Number of Elements:2
- hFEMin:210
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Cut Tape (CT)
- 已出版:2001
- 零件状态:Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:5
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:150mW
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:DMC50101
- 极性:NPN
- 元素配置:Dual
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 增益带宽积:150MHz
- 晶体管类型:2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:100mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:210 @ 2mA 10V
- 最大集极截止电流:100μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):300mV @ 10mA, 100mA
- 最高频率:150MHz
- 转换频率:150MHz
- 最大击穿电压:50V
- 集电极基极电压(VCBO):60V
- 发射极基极电压 (VEBO):7V
- 连续集电极电流:100mA
- 高度:600μm
- 长度:2mm
- 宽度:1.25mm
- RoHS状态:符合RoHS标准
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