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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / MC1413BDR2G
- 价格 起订量
- ￥ 3.54077 1+
- ￥ 3.34035 10+
- ￥ 3.15128 100+
- ￥ 2.97290 500+
- ￥ 2.80462 1000+
- 型号： MC1413BDR2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 3203
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.54077
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：Surface Mount, Through Hole
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：16
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.1V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6V
- Number of Elements：7
- hFEMin：1000
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：16
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：50V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：500mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MC1413B
- 引脚数量：16
- 输出电压：50V
- 极性：NPN
- 配置：COMPLEX
- 输出电流：500mA
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 晶体管类型：7 NPN Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：1000 @ 350mA 2V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 500μA, 350mA
- 高度：3.9878mm
- 长度：9.9822mm
- 宽度：1.4986mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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