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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / ULN2003ADR2G
- 价格 起订量
- ￥ 6.35706 1+
- ￥ 5.99723 10+
- ￥ 5.65776 100+
- ￥ 5.33751 500+
- ￥ 5.03539 1000+
- 型号： ULN2003ADR2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 58855
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.35706
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：16
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6V
- Number of Elements：7
- hFEMin：1000
- 操作温度：-20°C~85°C TA
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：16
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：UL*2003A
- 引脚数量：16
- 输出电压：50V
- 极性：NPN
- 通道数量：3
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 晶体管类型：7 NPN Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：1000 @ 350mA 2V
- 最大集极截止电流：50μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 500μA, 350mA
- 高度：1.5mm
- 长度：10mm
- 宽度：4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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