图片经供参考,以实物为准

RF BJT 晶体管 / BFG410W,115
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: BFG410W,115
- 厂商: NXP USA Inc.
- 类别: RF BJT 晶体管
- 封装: SC-82A, SOT-343
- 描述: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
- 库存地点: 内地
- 库存: 17596
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SC-82A, SOT-343
- 表面安装:YES
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max):12mA
- Number of Elements:1
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:1997
- JESD-609代码:e3
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:4
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 附加功能:低噪音
- HTS代码:8541.21.00.75
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 基本部件号:BFG410
- 引脚数量:4
- JESD-30代码:R-PDSO-G4
- 资历状况:不合格
- 配置:SINGLE
- 箱体转运:EMITTER
- 功率 - 最大:54mW
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:50 @ 10mA 2V
- 增益:21dB
- 电压 - 集射极击穿(最大值):4.5V
- 转换频率:22000MHz
- 频率转换:22GHz
- 最大耗散功率(Abs):0.054W
- 最高频段:L B
- 噪音数字(分贝类型@ f):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
- 环境耗散-最大值:0.054W
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
BFG410W,115 NXP USA Inc.
BFU790F,115 NXP USA Inc.
BFU710F,115 NXP USA Inc.
BFG425W,115 NXP USA Inc.
BFG310W/XR,115 NXP USA Inc.

