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RF BJT 晶体管 / BFR843EL3E6327XTSA1
- 价格 起订量
- ￥ 0.89866 1+
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- ￥ 0.79981 100+
- ￥ 0.75454 500+
- ￥ 0.71183 1000+
- 型号： BFR843EL3E6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： 3-XFDFN
- 描述： The BFR843EL3 is a robust low noise broadband pre-matched bipolar RF transistor.
- 库存地点： 内地
- 库存： 14782
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.89866
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XFDFN
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：2.6V
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Gold (Au)
- 最大功率耗散：125mW
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：EMITTER
- 功率 - 最大：125mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 无卤素：无卤素
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.25V
- 最大集电极电流：55mA
- 增益：25.5dB
- 最大击穿电压：2.6V
- 集电极基极电压(VCBO)：2.9V
- 最高频段：X B
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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