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RF BJT 晶体管 / BLT50,115
- 价格 起订量
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- 型号： BLT50,115
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： TRANS NPN 7.5V SOT223
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：500mA
- Number of Elements：1
- 操作温度：175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：1998
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- HTS代码：8541.29.00.75
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：BLT50
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：2W
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：25 @ 300mA 5V
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：10V
- 频率转换：470MHz
- 最大耗散功率(Abs)：2W
- 最高频段：超高频B型
- 集电极-基极电容-最大值：6pF
- 环境耗散-最大值：2W
- 功率增益-最小值(Gp)：10dB
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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