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RF BJT 晶体管 / BFP843FH6327XTSA1
- 价格 起订量
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- 型号： BFP843FH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： 4-SMD, Flat Leads
- 描述： TRANSISTOR RF NPN AMP TSFP-4-1
- 库存地点： 内地
- 库存： 2658
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, Flat Leads
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：2.25V
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：125mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：BFP843
- 功率 - 最大：125mW
- 无卤素：无卤素
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.25V
- 最大集电极电流：55mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：150 @ 15mA 1.8V
- 增益：13.5dB ~ 25dB
- 最大击穿电压：2.25V
- 集电极基极电压(VCBO)：2.9V
- 噪音数字(分贝类型@ f)：0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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