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图片经供参考，以实物为准
RF BJT 晶体管 / 2SC5226A-4-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 8.28456 1+
- ￥ 7.81562 10+
- ￥ 7.37322 100+
- ￥ 6.95587 500+
- ￥ 6.56214 1000+
- 型号： 2SC5226A-4-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP
- 库存地点： 内地
- 库存： 866
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.28456
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：10V
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：低噪音
- HTS代码：8541.21.00.75
- 最大功率耗散：150mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 增益带宽积：7 GHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：10V
- 最大集电极电流：70mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：90 @ 20mA 5V
- 增益：12dB
- 最高频率：7GHz
- 转换频率：7000MHz
- 最大击穿电压：10V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：2V
- 最高频段：超高频B型
- 集电极-基极电容-最大值：1.2pF
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1dB @ 1GHz
- 高度：900μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.25mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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