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RF MOSFETs 晶体管 / MMBFJ309LT1G
- 价格 起订量
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- ￥ 1.25109 500+
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- 型号： MMBFJ309LT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G - JFET Transistor, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 200000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.49007
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 质量：1.437803g
- Breakdown Voltage / V：-25V
- Number of Elements：1
- Usage Level：Military grade
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：-25V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：30mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MMBFJ309
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：225mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 无卤素：无卤素
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 晶体管类型：N-Channel JFET
- 连续放电电流(ID)：10mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 输入电容：5pF
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最高频段：超高频B型
- 高度：1.016mm
- 长度：3.0226mm
- 宽度：1.397mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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