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RF MOSFETs 晶体管 / BF510,215
- 价格 起订量
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- 型号： BF510,215
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Voltage Rated：20V
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：低噪音
- HTS代码：8541.21.00.75
- 额定电流：30mA
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：BF510
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 测试电流：5mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 晶体管类型：N-Channel JFET
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.03A
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最大耗散功率(Abs)：0.25W
- 噪声图：1.5dB
- 电压-测试：10V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：0.4 pF
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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