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RF MOSFETs 晶体管 / MRF1513NT1
- 价格 起订量
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- 型号： MRF1513NT1
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： PLD-1.5
- 描述： Lateral N-Channel Broadband Rf Power Mosfet, 520 Mhz, 3 W, 12.5 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 216
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 包装/外壳：PLD-1.5
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Voltage Rated：40V
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.75
- 额定电流：2A
- 端子位置：QUAD
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 频率：520MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MRF1513
- JESD-30代码：R-PQSO-N4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：50mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 增益：15dB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2A
- DS 击穿电压-最小值：40V
- 功率 - 输出：3W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：31.2W
- 电压-测试：12.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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