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RF MOSFETs 晶体管 / MRFE6VP6300HR5
- 价格 起订量
- ￥ 2450.54354 1+
- ￥ 2311.83353 10+
- ￥ 2180.97503 100+
- ￥ 2057.52361 500+
- ￥ 1941.06001 1000+
- 型号： MRFE6VP6300HR5
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： NI780-4
- 描述： RF POWER FET, N CH, 125V, NI-780-4 - More Details
- 库存地点： 内地
- 库存： 2873
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2450.54354
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 包装/外壳：NI780-4
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Operating Temperature (Max.)：225°C
- Voltage Rated：130V
- Usage Level：Military grade
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：不适用
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.29.00.75
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：230MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MRFE6VP6300
- JESD-30代码：R-CDFM-F4
- 资历状况：不合格
- 配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：100mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS (Dual)
- 增益：26.5dB
- DS 击穿电压-最小值：130V
- 功率 - 输出：300W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：50V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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