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RF MOSFETs 晶体管 / MRF6V2150NBR1
- 价格 起订量
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- 型号： MRF6V2150NBR1
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： TO-272BB
- 描述： RF MOSFET, N CHANNEL, 110V, TO-272
- 库存地点： 内地
- 库存： 300
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 包装/外壳：TO-272BB
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：225°C
- Voltage Rated：110V
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.75
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：220MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MRF6V2150
- JESD-30代码：R-PDFM-F4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：450mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 增益：25dB
- DS 击穿电压-最小值：110V
- 功率 - 输出：150W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：50V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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