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图片经供参考，以实物为准
RF MOSFETs 晶体管 / PD85004
- 价格 起订量
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- 型号： PD85004
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： RF MOSFET Transistors RF PWR TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：8
- 质量：130.492855mg
- Number of Elements：1
- 包装：Cut Tape (CT)
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 最大功率耗散：6W
- 终端形式：FLAT
- 额定电流：2A
- 频率：870MHz
- 基本部件号：PD85004
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-F3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：6W
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：50mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 连续放电电流(ID)：2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：15V
- 最大输出功率：5W
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2A
- 输入电容：16pF
- 功率 - 输出：4W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：13.6V
- 功率增益：17dB
- 高度：1.6mm
- 长度：4.6mm
- 宽度：2.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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