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RF MOSFETs 晶体管 / J309G
- 价格 起订量
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- 型号： J309G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： JFET N-CH 25V 30MA TO92
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- Number of Elements：1
- 包装：Bulk
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 最高工作温度：125°C
- 最小工作温度：-65°C
- HTS代码：8541.21.00.75
- 电压 - 额定直流：25V
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：30mA
- 频率：100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：J309
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 测试电流：10mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 晶体管类型：N-Channel JFET
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 增益：16dB
- 漏源击穿电压：25V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 电压-测试：10V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：2.5 pF
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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