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RF MOSFETs 晶体管 / PD54003L-E
- 价格 起订量
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- 型号： PD54003L-E
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
- 库存地点： 内地
- 库存： 2313
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：14
- Number of Elements：1
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：7V
- 最大功率耗散：19.5W
- 端子位置：QUAD
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：4A
- 频率：500MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：PD54003
- 引脚数量：5
- JESD-30代码：S-PQCC-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：50mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 连续放电电流(ID)：4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：15V
- 增益：20dB
- 最大输出功率：3W
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：7.5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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