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RF MOSFETs 晶体管 / SD57120
- 价格 起订量
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- 型号： SD57120
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： M252
- 描述： Trans RF MOSFET N-CH 65V 14A 5-Pin Case M-252 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- 底架：Screw
- 包装/外壳：M252
- 引脚数：5
- Number of Elements：2
- 包装：Tube
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：200°C
- 最小工作温度：-65°C
- 电压 - 额定直流：65V
- 最大功率耗散：236W
- 终端形式：FLAT
- 额定电流：14A
- 频率：960MHz
- 基本部件号：SD57120
- 引脚数量：2
- JESD-30代码：R-PDFM-F4
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：236W
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：800mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：65V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 连续放电电流(ID)：14A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 增益：14dB
- 最大输出功率：120W
- 漏源击穿电压：65V
- 输入电容：169pF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：28V
- 最小击穿电压：65V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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