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RF MOSFETs 晶体管 / MMBFJ211
- 价格 起订量
- ￥ 3.79822 1+
- ￥ 3.58322 10+
- ￥ 3.38040 100+
- ￥ 3.18906 500+
- ￥ 3.00854 1000+
- 型号： MMBFJ211
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 42823
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.79822
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- Number of Elements：1
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：25V
- 最大功率耗散：225mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：20mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：MMBFJ211
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：225mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 晶体管类型：N-Channel JFET
- 连续放电电流(ID)：20mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：-25V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最高频段：极高频率 b
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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