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RF MOSFETs 晶体管 / PD20015C
- 价格 起订量
- ￥ 421.89793 1+
- ￥ 398.01692 10+
- ￥ 375.48766 100+
- ￥ 354.23364 500+
- ￥ 334.18268 1000+
- 型号： PD20015C
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： M243
- 描述： Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin Case M-243
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 421.89793
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Screw
- 包装/外壳：M243
- 引脚数：243
- Number of Elements：1
- 包装：Bulk
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：不适用
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：200°C
- 最小工作温度：-65°C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：93W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：7A
- 频率：2GHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：PD20015
- 引脚数量：2
- JESD-30代码：R-PDFM-F2
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：93W
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：350mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 连续放电电流(ID)：7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：15V
- 增益：11dB
- 最大输出功率：23W
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏源击穿电压：40V
- 功率 - 输出：15W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：13.6V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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