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RF MOSFETs 晶体管 / LET9150
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: LET9150
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: RF MOSFETs 晶体管
- 封装: M246
- 描述: Trans RF MOSFET N-CH 80V 20A 5-Pin Case M-246
- 库存地点: 内地
- 库存: 138
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:Screw
- 包装/外壳:M246
- 引脚数:5
- Number of Elements:2
- 包装:Bulk
- JESD-609代码:e3
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:4
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:哑光锡
- 最高工作温度:200°C
- 最小工作温度:-65°C
- 最大功率耗散:269W
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):225
- 额定电流:20A
- 频率:860MHz
- 基本部件号:LET9150
- 引脚数量:4
- JESD-30代码:R-PDFM-F4
- 元素配置:Dual
- 操作模式:增强型MOSFET
- 箱体转运:SOURCE
- 测试电流:600mA
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss):80V
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 晶体管类型:LDMOS
- 连续放电电流(ID):20A
- 栅极至源极电压(Vgs):15V
- 增益:20dB
- 功率 - 输出:150W
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试:32V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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