简体中文
图片经供参考，以实物为准
RF MOSFETs 晶体管 / LET9060C
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： LET9060C
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： M243
- 描述： MOSFET N-CH 80V 12A M-243
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Screw, Surface Mount
- 包装/外壳：M243
- 引脚数：3
- Number of Elements：1
- 包装：Bulk
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：200°C
- 最小工作温度：-65°C
- 最大功率耗散：130W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 额定电流：12A
- 频率：945MHz
- 基本部件号：LET9060
- 引脚数量：2
- JESD-30代码：R-PDFM-F2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：400mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：80V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 连续放电电流(ID)：12A
- 栅极至源极电压(Vgs)：15V
- 增益：18dB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 功率 - 输出：75W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：28V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
