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RF MOSFETs 晶体管 / LET9060
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： LET9060
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- 描述： IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10
- 库存地点： 内地
- 库存： 310
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- 引脚数：3
- Number of Elements：1
- Voltage Rated：80V
- 包装：Tube
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：165°C
- 最小工作温度：-65°C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：95W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：12A
- 频率：960MHz
- 基本部件号：LET9060
- 引脚数量：10
- JESD-30代码：R-PDSO-G2
- 配置：SINGLE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：300mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 连续放电电流(ID)：12A
- 增益：17.2dB
- DS 击穿电压-最小值：80V
- 功率 - 输出：60W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试：28V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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