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RF BJT 晶体管 / FPNH10
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： FPNH10
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
- 库存地点： 内地
- 库存： 1315
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-92-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Current-Collector (Ic) (Max)：50mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2009
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：25V
- 最大功率耗散：350mW
- 额定电流：50mA
- 频率：650MHz
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：350mW
- 功率 - 最大：350mW
- 增益带宽积：650MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：25V
- 最大集电极电流：50mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：60 @ 4mA 10V
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：25V
- 最高频率：650MHz
- 频率转换：650MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 连续集电极电流：50mA
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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