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图片经供参考，以实物为准
RF BJT 晶体管 / MMBTH10
- 价格 起订量
- ￥ 0.55175 1+
- ￥ 0.52052 10+
- ￥ 0.49106 100+
- ￥ 0.46326 500+
- ￥ 0.43704 1000+
- 型号： MMBTH10
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANSISTOR RF NPN SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 99999
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.55175
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-23-3 (TO-236)
- 质量：30mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Current-Collector (Ic) (Max)：50mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：25V
- 最大功率耗散：225mW
- 额定电流：50mA
- 频率：650MHz
- 基本部件号：MMBTH10
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：225mW
- 功率 - 最大：225mW
- 增益带宽积：650MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：25V
- 最大集电极电流：50mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：60 @ 4mA 10V
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：25V
- 最高频率：650MHz
- 最大击穿电压：25V
- 频率转换：650MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 连续集电极电流：50mA
- 高度：930μm
- 长度：2.92mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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