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RF BJT 晶体管 / 15GN01MA-TL-E
- 价格 起订量
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- 型号： 15GN01MA-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： 3-SMD, Gull Wing
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 50MA 8V FT=1.5G
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, Gull Wing
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：8V
- hFEMin：200
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：400mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 功率 - 最大：400mW
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：8V
- 最大集电极电流：50mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 10mA 5V
- 转换频率：1000MHz
- 频率转换：1.5GHz
- 集电极基极电压(VCBO)：15V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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