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RF BJT 晶体管 / CPH6003A-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 5.38250 1+
- ￥ 5.07783 10+
- ￥ 4.79040 100+
- ￥ 4.51925 500+
- ￥ 4.26344 1000+
- 型号： CPH6003A-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： ON Semi CPH6003A-TL-E NPN RF Bipolar Transistor; 0.15 A; 12 V; 6-Pin CPH
- 库存地点： 内地
- 库存： 2191
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.38250
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 表面安装：YES
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：800mW
- 频率：7MHz
- 引脚数量：6
- 元素配置：Single
- 功率耗散：800mW
- 增益带宽积：7 GHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：12V
- 最大集电极电流：150mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 50mA 5V
- 增益：9dB
- 最大击穿电压：12V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：2V
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1.8dB @ 1GHz
- 高度：900μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.6mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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