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图片经供参考，以实物为准
RF BJT 晶体管 / MMBT5179
- 价格 起订量
- ￥ 0.58007 1+
- ￥ 0.54723 10+
- ￥ 0.51626 100+
- ￥ 0.48704 500+
- ￥ 0.45947 1000+
- 型号： MMBT5179
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans GP BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 630
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.58007
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- 工厂交货时间：42 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2001
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：12V
- 最大功率耗散：225mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：50mA
- 频率：2GHz
- 基本部件号：MMBT5179
- 元素配置：Single
- 功率耗散：225mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：2 GHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：12V
- 最大集电极电流：50mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：25 @ 3mA 1V
- 增益：15dB
- 转换频率：900MHz
- 最大击穿电压：12V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：2.5V
- 连续集电极电流：50mA
- VCEsat-最大值：0.4 V
- 噪音数字(分贝类型@ f)：5dB @ 200MHz
- 高度：930μm
- 长度：2.92mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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