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RF BJT 晶体管 / 2SC5065-Y(TE85L,F)
- 价格 起订量
- ￥ 0.86052 1+
- ￥ 0.81181 10+
- ￥ 0.76586 100+
- ￥ 0.72251 500+
- ￥ 0.68161 1000+
- 型号： 2SC5065-Y(TE85L,F)
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 30mA 100mW 12V
- 库存地点： 内地
- 库存： 238
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.86052
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- hFEMin：80
- 操作温度：125°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2009
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：100mW
- Reach合规守则：unknown
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：100mW
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：12V
- 最大集电极电流：30mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：120 @ 10mA 5V
- 增益：12dB ~ 17dB
- 最大击穿电压：12V
- 频率转换：7GHz
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1.1dB @ 1GHz
- RoHS状态：符合RoHS标准
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