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专用晶体管 / EMF32T2R
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: EMF32T2R
- 厂商: ROHM Semiconductor
- 类别: 专用晶体管
- 封装: SOT-563, SOT-666
- 描述: TRANS DUAL DTA143T/2SK2019 EMT6
- 库存地点: 内地
- 库存: 900
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SOT-563, SOT-666
- 引脚数:6
- 晶体管元件材料:SILICON
- Number of Elements:1
- Operating Temperature (Max.):150°C
- Voltage Rated:50V PNP 30V N Channel
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2004
- JESD-609代码:e3/e2
- 无铅代码:yes
- 零件状态:不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:6
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:TIN/TIN COPPER
- 应用:通用型
- 额定电流:100mA PNP 100mA N-Channel
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 额定电流:100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):10
- 引脚数量:6
- 配置:单个内置双极晶体管和二极管
- 操作模式:增强型MOSFET
- 晶体管应用:SWITCHING
- 晶体管类型:PNP Pre-Biased, N-Channel
- 最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1A
- 漏极-源极导通最大电阻:8Ohm
- DS 击穿电压-最小值:30V
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs):0.15W
- 集电极电流-最大值(IC):0.1A
- 最小直流增益(hFE):100
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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