图片经供参考,以实物为准

IGBT晶体管模块 / DDB2U30N08VRBOMA1

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: DDB2U30N08VRBOMA1
  • 厂商: Infineon Technologies
  • 类别: IGBT晶体管模块
  • 封装: Module
  • 描述: IGBT MOD 600V 25A 83.5W
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:Screw
  • 安装类型:底座安装
  • 包装/外壳:Module
  • 引脚数:750
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Number of Elements:1
  • 操作温度:-40°C~125°C
  • 已出版:2006
  • 无铅代码:no
  • 零件状态:最后一次购买
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:12
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子位置:UPPER
  • 终端形式:UNSPECIFIED
  • 引脚数量:12
  • JESD-30代码:R-XUFM-X12
  • 配置:3 Independent
  • 元素配置:Single
  • 箱体转运:ISOLATED
  • 功率 - 最大:83.5W
  • 无卤素:不含卤素
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 输入:Standard
  • 集电极发射器电压(VCEO):600V
  • 最大集电极电流:25A
  • 最大重复反向电压(Vrrm):800V
  • 最大集极截止电流:1mA
  • 接通时间:38 ns
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.55V @ 15V, 20A
  • 关断时间-标准值(toff):145 ns
  • NTC热敏电阻:
  • 输入电容(Cies)@Vce:880pF @ 25V
  • 高度:12mm
  • 长度:35.6mm
  • 宽度:25.4mm
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:含铅

采购询价

可替换产品