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IGBT晶体管模块 / FF200R12KS4HOSA1
- 价格 起订量
- ￥ 844.70779 1+
- ￥ 796.89414 10+
- ￥ 751.78692 100+
- ￥ 709.23295 500+
- ￥ 669.08769 1000+
- 型号： FF200R12KS4HOSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module
- 库存地点： 内地
- 库存： 2146
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 844.70779
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3.2V
- Number of Elements：2
- 操作温度：-40°C~125°C
- 已出版：2002
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：7
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：FAST
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 引脚数量：7
- 配置：2 Independent
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：1.4kW
- 箱体转运：ISOLATED
- 功率 - 最大：1400W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：275A
- 最大集极截止电流：5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：180 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.7V @ 15V, 200A
- 关断时间-标准值（toff)：590 ns
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：13nF @ 25V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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