图片经供参考,以实物为准

IGBT晶体管模块 / FP7G50US60

  • 价格 起订量
  • ¥ 167.32166 1+
  • ¥ 157.85063 10+
  • ¥ 148.91568 100+
  • ¥ 140.48649 500+
  • ¥ 132.53443 1000+
  • 型号: FP7G50US60
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: IGBT晶体管模块
  • 封装: EPM7
  • 描述: IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 2513
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 167.32166

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:Chassis Mount, Screw
  • 安装类型:底座安装
  • 包装/外壳:EPM7
  • 引脚数:7
  • 供应商器件包装:EPM7
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current-Collector (Ic) (Max):50A
  • 操作温度:-40°C~125°C TJ
  • 系列:Power-SPM™
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 最高工作温度:125°C
  • 最小工作温度:-40°C
  • 最大功率耗散:250W
  • 配置:半桥
  • 元素配置:Dual
  • 功率 - 最大:250W
  • 输入:Standard
  • 集电极发射器电压(VCEO):600V
  • 最大集电极电流:50A
  • 最大集极截止电流:250μA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
  • 输入电容:2.92nF
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V, 50A
  • NTC热敏电阻:
  • 输入电容(Cies)@Vce:2.92nF @ 30V
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:符合RoHS标准

采购询价

可替换产品