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IGBT晶体管模块 / APTGT225DA170G
- 价格 起订量
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- 型号： APTGT225DA170G
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： SP6
- 描述： IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：36 Weeks
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SP6
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.7kV
- Number of Elements：1
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 附加功能：雪崩 额定
- 最大功率耗散：1.25kW
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 引脚数量：5
- 配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 功率 - 最大：1250W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.7kV
- 最大集电极电流：340A
- 最大集极截止电流：500μA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
- 输入电容：20nF
- 接通时间：450 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 225A
- 关断时间-标准值（toff)：1100 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：20nF @ 25V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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