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IGBT晶体管模块 / BSM150GB60DLCHOSA1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： BSM150GB60DLCHOSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： IGBT MOD 600V 180A 595W
- 库存地点： 内地
- 库存： 20
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：Panel, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.95V
- Number of Elements：2
- 操作温度：-40°C~125°C
- 已出版：2000
- 无铅代码：no
- 零件状态：最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：7
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：730W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 引脚数量：7
- 配置：Single
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：730W
- 箱体转运：ISOLATED
- 功率 - 最大：595W
- 无卤素：不含卤素
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：180A
- 最大集极截止电流：500μA
- 接通时间：155 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V, 150A
- 关断时间-标准值（toff)：260 ns
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：6.5nF @ 25V
- 高度：30.5mm
- 长度：94mm
- 宽度：34mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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