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IGBT晶体管模块 / APTGT50X60T3G
- 价格 起订量
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- 型号： APTGT50X60T3G
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： SP3
- 描述： IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
- 库存地点： 内地
- 库存： 2
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
- 工厂交货时间：36 Weeks
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SP3
- 引脚数：32
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Number of Elements：6
- Turn Off Delay Time：200 ns
- 操作温度：-40°C~175°C TJ
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：25
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 最大功率耗散：176W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 引脚数量：25
- JESD-30代码：R-XUFM-X25
- 配置：三相逆变器
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：110 ns
- 功率 - 最大：176W
- 晶体管应用：MOTOR CONTROL
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：80A
- 最大集极截止电流：250μA
- 输入电容：3.15nF
- 接通时间：170 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V, 50A
- 关断时间-标准值（toff)：310 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：有
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 输入电容(Cies)@Vce：3.15nF @ 25V
- VCEsat-最大值：1.9 V
- 高度：11.5mm
- 长度：73.4mm
- 宽度：40.8mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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