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IGBT晶体管模块 / APTGF50DH120T3G
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- 型号： APTGF50DH120T3G
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： SP3
- 描述： Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 70A 16-Pin Case SP-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SP3
- 引脚数：16
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Number of Elements：2
- 已出版：2012
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：11
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-40°C
- 最大功率耗散：312W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：25
- JESD-30代码：R-XUFM-X11
- 资历状况：不合格
- 配置：不对称桥
- 元素配置：Dual
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：70A
- 最大集极截止电流：250μA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 输入电容：3.45nF
- 接通时间：100 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.7V @ 15V, 50A
- 关断时间-标准值（toff)：400 ns
- IGBT类型：NPT
- NTC热敏电阻：有
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 输入电容(Cies)@Vce：3.45nF @ 25V
- VCEsat-最大值：3.7 V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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